V型石墨舟皿的作業(yè)原理主要基于其共同的結構規(guī)劃、資料特性及工藝適配性，經過物理支撐、熱傳導操控與化學維護機制，完結硬質合金、半導體等資料的高精度燒結或鍍膜。以下是具體闡明：
一、物理支撐與限位：V型槽的精細定位
軸心精度保障
    V型槽的斜面規(guī)劃經過幾許限位，保證燒結過程中硬質合金段差圓棒/管的軸心偏差≤0.01mm。例如，在切削刀具制作中，這種精細定位可防止刀具旋轉時的跳動，提高加工精度。
異形件適配
    經過替換不同規(guī)格的石墨片，舟皿可適配最小截面5mm×5mm的異形硬質合金件。石墨片層疊裝置時，頂端與V型槽保持平行，保證段差部分均勻受力，防止部分應力集中導致的開裂。
模塊化擴展
    組合式規(guī)劃經過螺紋桿銜接多個舟皿單元，合作限位裝置提高疊放氣密性。例如，在燒結異形合金件時，模塊化結構可快速調整裝載空間，削減設備停機時間。
二、熱傳導操控：溫度均勻性與翹曲抑制
W型雙向斜槽的熱對稱性
    W型結構使產品受熱愈加均勻，溫差波動≤3℃。在硬質合金長條薄片燒結中，這種規(guī)劃可消除部分過熱導致的晶粒異常長大，提高資料韌性。
排氣通槽的氣體引導
    槽面設置的排氣通槽引導脫膠氣體沿預訂途徑逸出，防止部分氣壓過高導致的膠體殘留。例如，在氫氣脫膠工藝中，排氣通槽可使膠體殘留率從傳統(tǒng)結構的15%降至2%以下。
Λ形通槽的疊放優(yōu)化
    底面Λ形通槽與槽體結構構成空間互補效應，疊放時上層舟皿的支撐凸起落入基層通槽內，削減垂直方向空間占用。這種規(guī)劃使爐內裝載量提高25%以上，同時下降石墨資料消耗約15%-20%。
三、化學維護：防滲碳與抗腐蝕
涂料層阻斷碳浸透
    V型槽和石墨片表面涂覆氮化硼等涂料層，厚度不小于0.18mm，可有效阻斷碳浸透。在硬質合金燒結中，防滲碳規(guī)劃可防止產品表面硬度下降（滲碳層硬度下降約15%-20%）。
棱角維護槽的邊角防護
    底部支撐凸起與槽面交界處設置棱角維護槽，將產品與銳邊觸摸轉為平面觸摸，邊角破損率由傳統(tǒng)結構的5.2%降至0.8%。例如，在燒結釹鐵硼磁體時，棱角維護槽可防止磁體邊角崩裂，提高良品率。
耐腐蝕性氣體環(huán)境適配
    在SiC外延成長爐中，石墨舟皿需接受1600℃/H2氣氛下的接連運行，HCl氣體腐蝕速率<0.1mg/cm2·h。這種耐腐蝕性保證了外延層厚度波動<±1.5%，滿意第三代半導體制作需求。
四、工藝適配性：多場景使用的中心邏輯
氫氣脫膠與真空燒結
    在硬質合金加工中，舟皿需在氫氣氣氛中完結脫膠（500-800℃）和真空燒結（1400-1600℃）。V型槽的排氣規(guī)劃可加速膠體蒸發(fā)，同時石墨的化學慵懶防止與合金元素反響，保證成分安穩(wěn)。
半導體晶圓傳輸
    在12英寸晶圓ALD設備中，舟皿需滿意NAS 1638 Class 3級潔凈度標準（每立方米>0.5μm顆粒<1000個）。石墨的表面粗糙度Ra≤0.8μm，合作抗靜電規(guī)劃，可防止顆粒污染晶圓表面。
光伏電池片鍍膜
    在PERC電池片PECVD工藝中，舟皿需在5分鐘內閱歷室溫→800℃→冷卻的劇烈溫變。其熱導率高達120W/(m·K)，可使表面溫差<±2℃，碎片率從0.5%降至0.02%，單線日產能打破7000片。